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低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标
来源: | 作者:转自维安股份，有修改 | 发布时间: 2026-09-07 | 47 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ ▶ | 分享到:

        2026年6月1日开始实施 《家用电冰箱耗电量限定值及能效等级》GB 12021.2-2025。核心变化是，能效指标大幅度提升，准入门槛大幅度提高，耗电量限定值准入门槛提高30%~40%，预计约20%以上的高耗能产品将被淘汰。为应对该国标的执行，倒逼企业在高效压缩机、隔热材料、控制系统三大核心领域技术升级。

        冰箱材料成本进一步增加，为应对行业发展及降本的需求， 维安(WAYON) 开发出FR-MOSFET应用于冰箱压缩机变频控制。

     


        

        MOSFET与IGBT器件的特点与对比

 



        

                                                                 MOSFET与IGBT器件对比

             

                                                            MOSFET与IGBT效率的对比

          

1


轻载区间（＜150W）

MOSFET（红色曲线）效率显著高于 IGBT（蓝色曲线）。



MOSFET 开关速度为 ns 级，开关损耗极低；轻载下开关损耗是总损耗主要部分，IGBT 存在电流拖尾，开关损耗大，因此轻载效率劣势明显。


2


中载交叉点（约 150W）

两者效率曲线交汇，此时两种器件的开关损耗 + 导通损耗总和基本持平。





3


重载 / 满载区间（＞150W）

IGBT 效率反超 MOSFET 且持续上升，MOSFET 效率开始回落。


重载时导通损耗成为主要损耗来源，IGBT 饱和压降VCE(sat）固定，大电流下导通损耗增长平缓；MOSFET 导通损耗随电流平方上升（P=I2RDS(ON)），大电流下导通损耗快速恶化，效率下降。

         

    

FR-VDMOSFET与IGBT实测对比

A、器件损耗对比： FRMOS 的开关损耗低于IGBT


B、耗能对比： FRMOS 能耗相较于IGBT降低了15.8%


C、温升对比：环境温度26℃的情况下，IGBT与维安FRMOS的温升基本一致。


典型应用：电机驱动

基于以上对比，维安开发的FR‑VDMOSFET，适用于 200W 以下冰箱压缩机驱动，更好的适配冰箱工况，提升效率，降低成本。

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