在工业控制（如大功率伺服驱动、变频器）、特种照明、矿机等高要求应用领域，对超高压、紧凑型电源系统的需求

正迅速增长。这些应用往往面临严苛的运行环境（高温、高湿、强干扰）和紧凑的空间限制，对核心功率器件提出了极高要

求：一方面需要承受超高工作电压以确保系统安全可靠；另一方面必须实现极低的导通损耗（RDS(ON)）和开关损耗（Qg, 

Qrr），以提升效率、降低温升并满足小型化设计需求。 应对以上问题，维安自主研发并推出超高压超结950V和1050V MOS

平台。该平台采用创新的工艺设计，在实现超高耐压等级的同时，显著降低了器件的结电容（体现为低Qg）和反向恢复电荷

（Qrr）。显著提升电源系统的整体效率，有效控制温升，并满足紧凑型设计对功率密度的苛刻要求。其优异的性能参数可对

标进口品牌的同规格产品，为上述特殊应用领域提供了可靠、高效的国产化功率解决方案。

                                                       维安950V、1050V超高压超结MOSFET

1.  优异的FOM品质因数

   超结950V、1050V FOM是传统VDMOS工艺的13.6% 。使用超结950V、1050V器件，相同导通电阻下，栅极电荷大幅下降，

更容易驱动和降低开关损耗，提供整体效率。

 2.  强壮的体二极管特征

  反向恢复电荷Qrr 仅有普通慢管的30%，降低体反向恢复引起的损耗和应力。提升系统在硬开关等应用中的可靠性，并有助于

进一步提高效率。

                            MOSFET体二极管反向恢复的波形示意图

                                   蓝色是普通工艺MOSFET体二极管

                                                  红色是快恢复工艺 

3.丰富的产品规格

    从上图规格可以看出，950V，1050V TO-220F封装，内阻最低可以到0.31Ω-0.32Ω；平面超高压相同规格TO-220F封装内阻

最低达到1Ω。更低的导通电阻意味着更低的导通损耗，在高功率密度的应用场景中，维安超结超高压MOSFET展现出显著优势，

助力实现更紧凑、更高效的电源设计。

    维安完整的超高压产品系列，结合先进的封装技术，确保了高可靠性和安全性，助力工程师轻松应对定制化、高效率电源

系统的设计挑战。